大家好,小纵来为大家解答以上问题。中国首台5纳米光刻机,蚀刻机和光刻机区别这个很多人还不清楚,现在一起跟着小编来瞧瞧吧!

1、 蚀刻比光刻容易。
2、 光刻机印出设计,然后蚀刻机根据印出的图案蚀刻掉有图案(或无图案)的部分,剩下的。
3、 “光刻是指用预先制作好的光掩模覆盖在涂有光刻胶的晶片(或硅片)上,然后通过光掩模用紫外线照射晶片一定时间。
4、 原理是利用紫外光使部分光刻胶变质,容易腐蚀。
5、 “刻蚀是在光刻之后,用刻蚀液将光刻胶的劣化部分刻蚀掉(正胶),在晶片表面显示出半导体器件及其连接图形。
6、 然后使用另一种蚀刻溶液蚀刻晶片以形成半导体器件及其电路。
7、 蚀刻有两种,一种是干法蚀刻,一种是湿法蚀刻(目前主流)。顾名思义,湿法刻蚀就是在工艺中加入水,光刻后的晶片与特定的化学溶液发生反应,去除不需要的部分,留下电路结构。干法刻蚀尚未实现商业化量产,其原理是用等离子体代替化学溶液,去除不必要的硅圆形部分。
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