IGBT是　"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。

IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。

根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。

IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。

尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。

【功率元器件的基本结构与特点】

MOSFETBIPOLAR

IGBT

基本结构

控制

栅极电压

基极电流

栅极电压

容许电流

✕

△

○

开关

○

✕

△

导通电阻

✕

△

○

MOSFET是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。BIPOLAR是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。