MOSFET N-CH 30V SM3323NHQAC-TRG、SI7114DN-T1-GE3场效应管_办公生活

MOSFET N-CH 30V SM3323NHQAC-TRG、SI7114DN-T1-GE3场效应管

创始人

2024-01-27 02:47:03

型号：SM3323NHQAC-TRG SM3323NHQAC
描述：N沟道 30V 54A
封装：DFN3x3D-8

型号：SI7114DN-T1-GE3 SI7114DN
描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：19 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8
封装/外壳：PowerPAK® 1212-8
基本产品编号：SI7114

特点
无卤选择可用
TrenchFET®Gen II功率MOSFET
新型低热阻PowerPAK®低1.07 mm型材封装
Rg测试
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